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采用NAND技术闪存存在有限的写操作周期。与传统磁盘一样，SSD也有相应的使用期限。在超过这个期限后，SSD最终会损耗殆尽。通常，SLC闪存的耐久度大约为100，000次写周期; MLC闪存则少了一个数量级，每个数据单位只有大约10，000次。
针对这个问题，厂商通常的解决方法包括：
a）超供。与传统磁盘不同，标称容量为100G的SSD，内部芯片的实际容量可能是128G，这样就可以有额外18G容量来保证存储使用周期
b）磨损均衡（leveling balance）。即通过算法保证数据平均写到每个底层的存储单元上，这样既保证了存储的性能，也能保证存储的使用周期。从存储和SSD生产厂商获得的数据，SSD的故障率远低于传统磁盘的故障率。
c）反磨损均衡。客户最担心的是在闪存存储使用过几年之后，很容易出现同一个RAID组多块磁盘同时故障的现象。通过反磨损均衡技术，可以将IO负载转移到单一磁盘上，直至将这个磁盘彻底故障。这样可以逐步替换临近生命周期的磁盘。
IBM FlashSystem 存储技术采用 IBM 专有的垃圾回收、重定位和块挑选算法，不仅可提升闪存的耐久性，还可以降低写入延迟。大多数闪存存储垃圾回收算法采用对称设计，所有的数据块和存取操作会采用同一处理方式。IBM FlashSystem存储技术更进一步，使用详细的 NAND 块特性数据来确定每个数据块的健康情况，并将之与接下来的写入活动相匹配。IBM FlashSystem 的垃圾回收算法能够考虑多个属性，以减少过多的写入活动（写入扩增）并尽可能延长每个 NAND 数据块的寿命。
结合优化的超容量算法及耗损均衡算法，IBM 的高级垃圾回收算法不仅可提升 闪存模块的闪存耐久性，还可为IBM FlashSystem 存储系统提供非常高的写入 I/O 吞吐量。收起
针对这个问题，厂商通常的解决方法包括：
a）超供。与传统磁盘不同，标称容量为100G的SSD，内部芯片的实际容量可能是128G，这样就可以有额外18G容量来保证存储使用周期
b）磨损均衡（leveling balance）。即通过算法保证数据平均写到每个底层的存储单元上，这样既保证了存储的性能，也能保证存储的使用周期。从存储和SSD生产厂商获得的数据，SSD的故障率远低于传统磁盘的故障率。
c）反磨损均衡。客户最担心的是在闪存存储使用过几年之后，很容易出现同一个RAID组多块磁盘同时故障的现象。通过反磨损均衡技术，可以将IO负载转移到单一磁盘上，直至将这个磁盘彻底故障。这样可以逐步替换临近生命周期的磁盘。
IBM FlashSystem 存储技术采用 IBM 专有的垃圾回收、重定位和块挑选算法，不仅可提升闪存的耐久性，还可以降低写入延迟。大多数闪存存储垃圾回收算法采用对称设计，所有的数据块和存取操作会采用同一处理方式。IBM FlashSystem存储技术更进一步，使用详细的 NAND 块特性数据来确定每个数据块的健康情况，并将之与接下来的写入活动相匹配。IBM FlashSystem 的垃圾回收算法能够考虑多个属性，以减少过多的写入活动（写入扩增）并尽可能延长每个 NAND 数据块的寿命。
结合优化的超容量算法及耗损均衡算法，IBM 的高级垃圾回收算法不仅可提升 闪存模块的闪存耐久性，还可为IBM FlashSystem 存储系统提供非常高的写入 I/O 吞吐量。收起
说的简单一点 闪存的寿命和颗粒以及控制芯片的程序优化有关。而颗粒的寿命就和读写它时候的电压有关
如TLC：1个颗粒可以记录3bit 那么这时候需要把一定的电压（比如1V）分割成八份来区分00 01 10 11.....，这样难度很大，电压击穿颗粒的概率就大，导致寿命就降低。
而SLC:1个颗粒记录2bit，只用将1V的电压分割成四分来区分
最好的当然是slc：1个颗粒就是1个bit，电压设计起来就很简单，击穿的概率就小，当然同样颗粒情况下slc容量就小了，价钱就贵了 寿命就长了收起
如TLC：1个颗粒可以记录3bit 那么这时候需要把一定的电压（比如1V）分割成八份来区分00 01 10 11.....，这样难度很大，电压击穿颗粒的概率就大，导致寿命就降低。
而SLC:1个颗粒记录2bit，只用将1V的电压分割成四分来区分
最好的当然是slc：1个颗粒就是1个bit，电压设计起来就很简单，击穿的概率就小，当然同样颗粒情况下slc容量就小了，价钱就贵了 寿命就长了收起
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