flash存储的可用性分析有何变化？

Flash的寿命在理论上是个问题。 但是在实际案例中我并没有碰见过Flash的写次数到极限，造成宕机或者数据丢失的情况。   主要的原因是现实生活中客户的数据改变量远远达不到Flash的写次数到极。 以IBM eMLC介质的3万次的擦写次数为例。 一个10TB的Flash存储，要承担300PB的数据改变量，这个存储Flash存储才会达到寿命。  300PB的数据改变量，一般的客户5~10年内几乎不可能达到。  即使TLC介质1000次的擦写次数。  1PB的数据改变量，一般客户也是很难达到这个值。  举个例子，iphone6 使用的就是TLC的介质。你看看有人担心过或者有人把iphone6 由于数据量变化太大，而把iphone6用坏的吗？